三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

来源:未知 编辑: 发布: 2020-03-25 15:41

当前在芯片制造中最先辈的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的临盆中。

这家韩国巨擘今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为往后高端PC、手机、企业级办事器等应用范畴开启新大年夜门。

得益于EUV技巧,可以在精度更高的光刻中削减多次图案化的反复步调,并进一步晋升产能。

三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开端周全导入EUV,来岁基于D1a大年夜范围量产DDR5和LPDDR5内存芯片,估计会使12英寸晶圆的临盆率翻番。

根据三星此前的预判,EUV将赞助公司至少推动到3nm标准。

不过,今朝支撑DDR5的PC平台尚未表态,LPDDR5倒是已经逐渐铺开。三星量产的第一代EUV DDR5 DRAM单芯片容量为16Gb(2GB),地点是平泽市的V2线。

三星率先为DRAM芯片导入EUV:来岁将用于DDR5/LPDDR5大年夜范围量产

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